intel 宣布與軟銀集團旗下子公司SAIMEMORY簽署合作協議，共同開發名為Z-Angle Memory的新型記憶體技術（簡稱ZAM計畫），推動新一代記憶體技術以滿足AI與高效能運算（HPC）相關需求。
根據聲明，intel於此次合作中擔任技術、創新及標準化的合作夥伴，SAIMEMORY則提供技術創新並主導ZAM商用化進程。雙方預計於2026年第一季啟動營運、2027年推出原型產品，並於2030年實現商用化。
軟銀旗下子公司SAIMEMORY總部位於日本東京，正開發堆疊式DRAM架構，著重高效能、低功耗，並改進封裝能力，解決AI系統擴展過程中的瓶頸。
SAIMEMORY的技術架構奠基於「先進記憶體技術（the Advanced Memory Technology, AMT）」研發計畫，該計畫由美國能源部（DOE）及國家核安全管理局（NNSA）發起，並由桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratory）、勞倫斯利佛摩國家實驗室（Lawrence Livermore National Laboratory）與洛斯阿拉莫斯國家實驗室（Los Alamos National Laboratory）共同推動。
intel 也推動了下一代DRAM鍵合（Next Generation DRAM Bonding, NGDB）計畫，在延遲和能耗更低的情況下，實現更高DRAM密度與頻寬的可能性。
intel 將利用過去參與美國能源部先進記憶體技術計畫的技術積累，支持與SAIMEMORY的ZAM計畫。從先進記憶體技術研發計畫轉型至ZAM計畫，不僅強化美日技術合作的信任基礎，也加速了從國家實驗室研究邁向全球市場布署的進程。